HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压为40V。其典型正向压降为0.55V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流为500μA，表现出合理的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于电源整流、信号箝位、极性保护以及高频开关电路等场景，满足对效率与可靠性的基本需求。