HGSEMI(华冠)China
JFET低噪声四运放
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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| 工作电压（Vcc）(v) | ±3~±18 |
| 输入偏置电流 Iib（MAX）(PA) | <±6 |
| 静态功耗Iq(Typ)( mA) | 4 |
| AC and DC characteristics | |
| 增益带宽积GBW(Typ)(MHZ) | 3 |
| 失调电压 VOS(mV) | 1.4 |
| 等效输入噪声1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 13 |
| 转换速率Slew rate(Typ)(V/us) | <200 |
| Environment and package | |
| 封装Package | 0~70℃ |
| 工作温度 TA Range(C) | 18nV |