VBsemi(微碧半导体)China
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面工艺制造，适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；12A；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage650 V
Continuous drain current12 A
On-resistance650 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |