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Technical parameters

Power
IC(100℃)-最大集电极电流7A
Ic(100℃)-集电极直流电流7A
IC(25℃)-最大集电极电流14A
Ic(25℃)-集电极直流电流14A
Icm-集电极峰值电流30A
ICM-集电极峰值电流30A
If-二极管正向电流25A
IF-二极管正向电流25A
PD(25℃)-最大允许功耗75W
Vce(sat)-集射极导通饱和电压2V
Vces-集射极阻断电压600V
VCES-集射极阻断电压600V
Environment and package
封装类型1TO220
Other
Eoff-关断损耗能量0.12mJ
Eon-开通损耗能量NmJ
Pd-功率耗散75W
Qg-栅极充电电荷25nC
Qg-栅极电荷25nC
tf-下降时间45ns
Tf-开关关断时间45ns
VCE(sat)-集射级饱和压降2V
Vf-二极管导通压降2.95V
VF-二极管导通压降2.95V
Vges-门极发射极耐压20V
Vge(th)-门极发射极阈值5.5
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量13
软开关0
集成ESD二极管0
集成串联二极管0

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