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IS6630C可为LPDDR5提供高功率密度的完整电源解决方案，其内部集成了同步降压型开关变换器（VDD2），该变换器可在宽输入电压（4.5V~22V）范围内提供高达10A的连续电流，具有出色的负载和线性调整率。它采用本司专利的TCOT™控制模式，可实现快速瞬态响应。 同时，芯片内部还集成了VDDQ LDO、VDD1 LDO。VDDQ LDO输出端只需要一颗22uF的陶瓷电容，即可吸收或提供1.5A的持续电流；VDD1 LDO输出端则需要两颗22uF的陶瓷电容，可提供1.5A的持续电流。 IS6630C采用QFN16 (3mmx3mm)封装，内部集成了完整的保护功能，包括OCP, NOCP, OVP, UVP及OTP。 芯片内设开漏输出的PGOOD信号，用来指示芯片工作状态。输出端采用纯陶瓷电容，可为用户达到节省空间及成本的目的。