VBsemi(微碧半导体)China
IRLZ44NSPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性，适用于多种领域的功率电子应用，可满足不同应用场景的需求。TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Gate threshold voltage3 VMax · 250uA
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 150W |