HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLZ44NPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleIRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET,采用经典可靠的TO-220封装,专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS,可承载高达60A的连续漏极电流ID,满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on),有效减少能量损耗,提升系统能效,适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current60 A
On-resistance12 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,25A |
| 数量 | 1个N沟道 |