JSMSEMI(杰盛微)China
IRLR024NTR-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current20 A
On-resistance45 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,5A |
| 数量 | 1个N沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.7 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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