HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLR024NPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleIRLR024NPbF 是一款高性能N沟道MOS管，采用行业标准TO-252-2L封装，结构紧凑且散热良好。该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，能有效应对高压大电流应用场景。其导通电阻低至38mΩ，显著提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计，是高功率、高效能电子设备的优选组件。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current20 A
On-resistance32 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |