HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLML5103PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleIRLML5103PbF 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。
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Key specs
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current4.1 A
On-resistance56 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |