HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLML2502PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款N型场效应管拥有出色的电流承载能力，高达6A，同时能承受最高20V的电压。其内阻典型值为22mΩ，确保了高效率。VGS为12V，使得产品在多种应用中都能保持稳定的性能。适用于电源管理、信号放大及开关电路等，是电子设备的理想选择。(IRLML2502TRPBF)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current9 A
On-resistance27 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |