HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLML2402TRPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载2.3A连续电流，适用于各类低电压、高效率电子应用。具备低导通电阻及快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及小型化设备的功率控制，提升系统效能。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current2.3 A
On-resistance55 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |