FUXINSEMI(富芯森美)China
IRLML0100TRPBF-FS
Transistors - FETs, MOSFETs - Single特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current2 A
On-resistance310 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |