VBsemi(微碧半导体)China
IRF9Z34NS-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current35 A
On-resistance48 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 35A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V,35A |
| 数量 | 1个P沟道 |