VBsemi(微碧半导体)China
IRF840S-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于需要高性能、高可靠性的功率开关元件来实现功率控制和转换功能的领域。TO263；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage650 V
Continuous drain current10 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |