HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其关键参数包括：11A的最大电流承载能力，30V的漏极-源极电压，以及13mΩ的典型内阻。VGS为20V，确保了良好的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。(IRF7416TRPBF)
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current11 A
On-resistance16 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A |
| 数量 | 1个P沟道 |