VBsemi(微碧半导体)China
IRF640NSPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N型的MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源转换器、家用电器、工业控等领域。TO263；N—Channel沟道,200V；40A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage200 V
Continuous drain current40 A
On-resistance48 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |