VBsemi(微碧半导体)China
IRF3710ZPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current70 A
On-resistance37 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,30A |
| 数量 | 1个N沟道 |