HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与电力电子系统。