HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该通用二极管具备良好的电性能，其正向电流IF可达3A，反向电压VR为1000V，确保了在高压环境下的稳定运行。正向电压VF仅为1.1V，降低了功耗；反向漏电流IR控制在5μA，保证了低损耗特性。此外，该二极管具有高达100A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。这款二极管是设计者在构建高效、可靠的电子电路时的理想选择。