HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统设计，具备双P沟道结构以实现高效能正向导通。额定电流高达8.5A，适用于电池保护、电源切换等应用场景，凭借其出色的低导通电阻与快速开关性能，成为现代电子设备理想的高功率控制元件。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current8.5 A
On-resistance20 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 数量 | 2个P沟道 |