HXY MOSFET(华轩阳电子)China
HRUM002N02T2L
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款N沟道MOSFET，设计精巧，耐压高达20V，可承载1.2A电流，展现优异功率管理。内阻最大仅260mΩ，保证低能耗高效率，是追求精细控制与稳定输出的电子设计中，不可或缺的高性能元件。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current1.2 A
On-resistance150 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,1.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |