SGKS(森国科)China
G2302B1
Gate DriversG2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥，共驱动 3 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。 G2302B1 封装类型为 TSSOP20
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Driven configurationHalf-bridge
Supply voltage4.5 ~ 28 V
| Power | |
|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~28V |
| Other | |
| 下降时间(tf) | 60ns |
| 负载类型 | MOSFET |
| 驱动配置 | 半桥 |