LGE(鲁光)China
商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 2.3A；功率(Pd) 1.2W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,3A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 800pC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 330pF@10V；反向传输电容(Crss@Vds) 45pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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Key specs
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current2.3 A
On-resistance140 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |