Goford SemiconductorTaiwan, China
类型：N+N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：8A 阈值电压(Vgs(th))：2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：99mΩ@10V 封装：SOP-8 Dual
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current8 A
On-resistance102 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V,2A |
| 数量 | 1个N沟道 |