HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件为Bi双向类型，设计用于敏感电路的瞬态电压抑制。其IPP最大峰值脉冲电流可达9安培，确保在遭遇较大能量冲击时仍能有效保护后端电路。击穿电压VRWM为8伏特，适合应用于工作电压不超过此值的系统中。寄生电容CJ仅为10皮法，有助于维持信号完整性，特别适用于高速数据线或高频信号路径中的保护。本产品仅占用1通道，是紧凑型设计的理想选择，能够有效地防止因静电放电（ESD）和瞬时过压事件造成的损害，保障电子设备的稳定运行。