HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款快恢复、高效率二极管具备3安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1伏特，在保证性能的同时降低了能耗。在反向偏置下，该二极管的漏电流（IR/uA）控制在5微安，有效减少了非工作状态下的电能浪费。此外，它还能承受瞬间高达80安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在不稳定条件下的可靠性和耐用性。此二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速开关特性的电子装置中。(ES3DB-13-F)