CBI(创基)China
内置偏置电阻的数字晶体管，可配置反相器电路，采用薄膜电阻，减少寄生效应
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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Other | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
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内置偏置电阻的数字晶体管，可配置反相器电路，采用薄膜电阻，减少寄生效应
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Other | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
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