MDDGermany
特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计
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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Other | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Other | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |