HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A），并能承受1200伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.35伏特，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为250微安，展现了良好的隔离性能。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71安培，可在复杂条件下维持稳定工作。适用于高频开关电路中，提供可靠的整流与保护作用。