HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V，正向压降低至1.3V，反向漏电流仅为50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性，适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。