HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式封装，具有10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作性能与快速开关能力，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效率开关电源、服务器电源模块、储能系统中的直流变换器以及对能效和散热设计有较高要求的紧凑型电源装置。