HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR为650V。其正向压降VF低至1.3V，有助于降低导通损耗；器件可承受64A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料特性，该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率，适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。