HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。器件利用碳化硅材料特性，在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。