HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。得益于碳化硅材料的物理特性，器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性，适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。