HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的阻断特性与导通效率。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力为48A，适用于高频、高效率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景，在提升系统整体能效的同时，有效降低热管理负担。