HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向压降为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的反向恢复性能，支持高频开关运行，减少开关损耗与电磁干扰。可广泛用于高效AC-DC与DC-DC转换器、高密度电源模块、光伏逆变装置及不间断电源系统，满足对热稳定性与长期可靠性要求较高的设计需求。