HXY MOSFET(华轩阳电子)China
DSC04A065-HXY
Single Diodes该碳化硅二极管为独立式配置，具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向导通压降典型值为1.53V，在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。其结构利用碳化硅材料的物理特性，实现快速开关响应与较低的导通损耗，适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中，有助于提升系统效率并简化热管理设计。
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Key specs
Reverse voltage650 V
Average rectified current4 A
Forward voltage1.53 VMax · 4A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 4A |
| Other | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.53V@4A |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |