HXY MOSFET(华轩阳电子)China
DMP3036SSD-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款场效应管为P+P型，电流为11A，可在一定功率范围内发挥作用。电压30V，能适应特定电路环境。内阻典型值14mR，能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型电子设备的电流控制。(DMP3036SSD-13)
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current11 A
On-resistance18 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 数量 | 2个P沟道 |