HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.5A，最大反向重复峰值电压为40V。其正向压降典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为5μA，体现出优异的阻断性能。器件可承受高达2A的非重复性浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及电源转换电路，常见于便携设备、消费类电子产品及低压供电系统中。