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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 60A |
| VDSS-最大漏源电压 | 120V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 3.8V |
| AC and DC characteristics | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 8.8mΩ |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | DFN5060 |
| Other | |
| Ciss-输入等效电容 | 3501pF |
| Qg-栅极电荷 | 48nC |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 应用场合1 | 充电器 |
| 应用场合2 | 充电器 |
| 应用案例1 | (公牛)65W 2A1C氮化镓快充 |
| 应用案例2 | (倍思)65W 2C氮化镓快充 |
| 引脚数量1 | 8 |