HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系:sales@hxymos.com】这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计,具备30V耐压与20A连续电流处理能力。其核心优势在于极低的15mΩ导通电阻,能显著降低回路损耗与发热,配合±20V的宽栅极电压范围,确保了在复杂电路中的驱动稳定性。该器件非常适合应用于锂电池保护板、便携式设备的快充方案以及LED恒流驱动电路,在负载开关场景中也能提供可靠的通断控制,是低压大电流路径管理的理想选择。
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Key specs
Continuous drain current20 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | DFN3X3-8L |
| Other | |
| ID | 20A |
| RDON | 15mR |
| TYPE | N沟道 |
| VDSS | 30V |
| VGS | 20V |