HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款NPN型三极管(BJT)设计用于需要中等功率处理能力的电子电路。其集电极电流IC为0.5A,适用于驱动中小功率负载。最大集电极-发射极电压VCEO达到80V,确保了在高压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益HFE范围从100到400,表明它具备优秀的信号放大性能。过渡频率FT为100MHz,使其同样适合于高频应用场合。凭借这些特性,该三极管是高效能信号放大、开关及模拟电路设计的理想选择。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Collector-emitter voltage80 V
DC current gain100
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOT-23 |
| Other | |
| FT | 100MHz |
| HFE | 100-400 |
| IC | 0.5A |
| TYPE | NPN |
| VCEO | 80V |