HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其典型正向压降为1V，反向漏电流仅为2μA，展现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。器件可承受的非重复峰值正向浪涌电流为0.6A。串联配置使两个二极管在电气上依次连接，适用于需要较高反向耐压或特定电压分配的整流、箝位及信号处理电路中。
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Key specs
Forward voltage1 VMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOT-23 |
| Other | |
| IF | 0.2A |
| IFSM | 0.6A |
| IR | 2uA |
| VF | 1V |
| VR | 30V |
| 二极管配置 | 串联式 |