HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款静电和浪涌保护器件，设计用于敏感电子设备的接口保护。其最大持续工作电压（VRWM）为7V，确保在常规工作电压环境下稳定运行。双向（Bi-directional）结构允许它在正反两个方向上提供有效的过电压保护。当遇到瞬时高能量冲击时，该器件能承受最高达8A的峰值脉冲电流（IPP），有效保护电路免受损害。电容值（CJ）仅为20皮法（pF），有助于保持信号的完整性，尤其适用于高速数据线。1通道的设计简化了集成过程，适合应用于各种需要可靠保护的电子线路中。