VBsemi(微碧半导体)China
CEB73A3G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用。TO263；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current70 A
On-resistance6 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |