VBsemi(微碧半导体)China
CEA6861-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current6.5 A
On-resistance65 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V,2A |
| 数量 | 1个P沟道 |