HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降低至0.85V，有助于提升能效并减少发热；在反向偏置条件下，漏电流仅为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。