HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该双向可控硅模块具有26A的通态电流（It）和600V的断态峰值电压（Vdrm），适用于需要中等功率控制的交流电路。其内部集成单个双向可控硅，可实现对交流电的全波控制。50mA的门极触发电流（Igt）确保了器件在配合常用控制信号时的可靠触发。该器件常用于各类交流调压、调光、电机速度调节及固态开关等应用，适用于对体积和可靠性有要求的电力控制场合。【联系：sales@hxymos.com】
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Key specs
Off-state voltage600 V
Gate trigger current50 mAMax
| Power | |
|---|---|
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V |
| 通态电流(It) | 26A |
| 门极触发电流(Igt) | 50mA |
| Environment and package | |
| 封装 | TOP-3 |
| Other | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 |