HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该双向可控硅模块具有12A的通态电流能力与800V的断态峰值电压，适用于中高功率交流开关应用。器件采用单片集成设计，具备50mA的门极触发电流，确保可靠的触发响应。内置过压与热保护机制，提升运行稳定性。其双向导通特性使其可精确控制交流电流的正负半周，适用于家用电器中的调光系统、电热控制装置以及智能电源管理设备，广泛用于需高效、紧凑型交流开关解决方案的嵌入式系统与自动化控制单元。【联系：sales@hxymos.com】
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Key specs
Off-state voltage800 V
Gate trigger current50 mAMax
| Power | |
|---|---|
| 断态峰值电压(Vdrm) | 800V |
| 通态电流(It) | 12A |
| 门极触发电流(Igt) | 50mA |
| Environment and package | |
| 封装 | TO-220A |
| Other | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 |